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μ PA2520
3
2
GATE TO SOURCE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
100
10
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
1
0
V DS = 10 V
I D = 1 mA
1
0.1
T A = 125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 55 ° C
V DS = 10 V
Pulsed
-75
-25
25
75
125
175
0.01
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - ° C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
30
Pulsed
20
V GS = 4.5 V
10
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
30
20
10
10 V
I D = 10 A
Pulsed
0
0
0.1
1
10
100
0
5
10
15
20
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
30
Pulsed
V GS - Gate to Source Voltage - V
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
10000
20
V GS = 4.5 V, I D = 5.0 A
1000
C iss
C oss
10
10 V, 10 A
100
C rss
V GS = 0 V
f = 1 MHz
0
10
-75
-25
25
75
125
175
0.1
1
10
100
4
T ch - Channel Temperature - ° C
Data Sheet G19186EJ1V0DS
V DS - Drain to Source Voltage - V
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